16:00 〜 18:00 [18p-PA6-15] XPSを用いたGaNエピ層表面および界面におけるGa酸化層の評価 〇松山 秀昭1、上野 勝典1、高島 信也1、田中 亮1、森 大輔1、須田 裕貴1、江戸 雅晴1 (1.富士電機)
16:00 〜 18:00 [18p-PA6-16] SiO2/p-GaN MOSキャパシタのCV特性 〇松山 秀昭1、上野 勝典1、高島 信也1、田中 亮1、福島 悠太1、江戸 雅晴1、中川 清和2 (1.富士電機、2.山梨大)