10:30 〜 10:45 △ [20a-233-5] 局所レーザーアニール法を用いた低温多結晶Si薄膜の結晶成長制御 〇(B)山田 貴大1、妹川 要1,2、中村 大輔1、後藤 哲也3、池上 浩1,2 (1.九大、2.九大ギガフォトン共同部門、3.東北大未来研)