16:00 〜 18:00 [19p-PB7-3] 伸張歪みSi/緩和SiGe/Si(110)ヘテロ構造のゲート電圧印加Hall測定による移動度評価 〇(M1)浪内 大地1、佐藤 圭1、澤野 憲太郎2、有元 圭介1、山中 淳二1、原 康祐1、中川 清和1 (1.山梨大、2.東京都市大総研)