09:00 〜 09:15 [21a-331-1] Fe添加した半絶縁性GaN基板の絶縁破壊電界評価 〇(M1)青合 充樹1、鈴木 孝介1、アスバル ジョエル1、徳田 博邦1、岡田 成仁2、只友 一行2、葛原 正明1 (1.福井大学、2.山口大学)