16:00 〜 18:00 [18p-PA5-11] デュアルゲート構造による高分子半導体トランジスタの実効移動度とスイッチング特性の向上 〇(B)田村 真貴1、塩飽 黎1、竹田 泰典1、村瀬 友英2、松井 弘之1、時任 静士1 (1.山形大ROEL、2.三菱ケミカル株式会社)