16:00 〜 18:00 [18p-PB3-67] 4H-SiC(0001)ポーラスエピタキシャルグラフェンの孔径及び孔密度制御 (2) 〇竹田 直喜1、石丸 大樹1、橋本 明弘1 (1.福井大院工)