16:00 〜 18:00 [18p-PB3-91] CVD成長したWS2原子層を用いた高移動度デバイス作製法の開発 〇(M1)上田 哲大1、堀田 貴都1、内山 揚介1、宮田 耕充2、渡邊 賢司3、谷口 尚3、篠原 久典1、北浦 良1 (1.名大院理、2.首都大院理工、3.物材機構)