10:15 〜 10:30 [19a-212B-5] 埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET 〇(M2)張 文倫1、祢津 誠晃1、金澤 徹1、雨宮 智宏1、宮本 恭幸1 (1.東工大)