13:45 〜 14:00 [19p-221A-3] 自己触媒VLS法によるInP/GaInAsヘテロ構造ナノワイヤのGaInAs層成長時間の検討 〇石田 勝晃1、善村 聡至1、石原 理暉1、下村 和彦1 (1.上智大学)