17:30 〜 17:45 △ [19p-233-11] 高TER・多値メモリ性を有するHfO2強誘電トンネル接合メモリのためのデバイスおよびプロセス設計 〇(M2)多川 友作1、莫 非1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、小林 正治1 (1.東大生研)