13:30 〜 15:30 [19p-PA4-14] RF-MBE法による4H-SiC(0001)基板上へのN極性GaNの作製 〇(M2)杉浦 亮1、高宮 健吾1、八木 修平1、矢口 裕之1 (1.埼玉大院理工)