10:30 〜 10:45 △ [20a-141-7] 半絶縁性SiC基板へのイオン注入により作製したノーマリオフ型サイドゲートn-JFETおよびp-JFETの400℃動作 〇(M1)中島 誠志1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)