09:30 〜 11:30 [20a-PB4-4] ドライエッチングにより形成された1550nm帯量子ドットリッジ構造レーザのアニールによる特性向上 〇(M2)赤石 陽太1、伊澤 昌平1、松本 敦2、赤羽 浩一2、松島 裕一3、石川 浩1、宇高 勝之1 (1.早大理工、2.NICT、3.早大GCS機構)