16:45 〜 17:00 [20p-221C-11] 三フッ化塩素ガスによる4H-SiCウェハエッチング分布の均一化 奥山 将吾1、〇川崎 稜平1、倉島 圭祐1、羽深 等1、高橋 至直2、加藤 智久3 (1.横国大院工、2.関東電化工業、3.産総研)