白石悠人

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発表者・著者、共著者

2018年9月21日(金) 09:00 〜 11:45 135 (135)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-135-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

09:00 〜 09:15

[21a-135-1] 第一原理計算によるa-SiO₂中の点欠陥の荷電特性の検討

〇白石悠人¹、山崎翔太¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)