09:15 〜 09:30 [21a-331-2] 窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果 〇末光 哲也1、Prasertsuk Kiattiwut2、谷川 智之2、木村 健司2、窪谷 茂幸2、松岡 隆志2 (1.東北大集積セ、2.東北大金研)