10:15 〜 10:30 △ [21a-331-6] Al2O3 MOSゲートFP-HEMTのコラプス特性評価 〇(M1)西谷 高至1、山口 良太1、アスバル ジョエル1、徳田 博邦1、葛原 正明1 (1.福井大学)