17:15 〜 17:30 △ [21p-232-16] ホウ素濃度の異なるp型基板上に作製したダイヤモンドp-i-nダイオードからの電子放出の比較 〇本部 達也1,2、牧野 俊晴2、加藤 宙光2、小倉 政彦2、大串 秀世2、山崎 聡2、竹内 大輔1,2、庄司 一郎1 (1.中央大、2.産総研)