一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:15 〜 09:30
〇丸山 敬裕1、近松 彰1、片山 司1、倉持 建汰2,3、荻野 拓2、北村 未歩4、堀場 弘司4、組頭 広志4,5、長谷川 哲也1 (1.東大院理、2.産総研、3.東理大、4.KEK、5.東北大多元)
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09:30 〜 09:45
〇小林 知央1、吉松 公平1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)
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09:45 〜 10:00
〇片山 司1、真柄 健斗1、毛 司辰1、倉内 裕史1、近松 彰1、長谷川 哲也1 (1.東大院理)
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10:00 〜 10:15
〇(M1)寺林 真輝1、関 真一郎2、中村 優男2、川﨑 雅司2,3、石橋 幸治2、齋藤 智彦1、松野 丈夫2,4,5 (1.東理大理、2.理研CEMS、3.東大工、4.阪大理、5.JSTさきがけ)
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10:15 〜 10:30
〇原田 尚之1、菅原 克明2,3,4、宮川 智樹1、中村 剛慶2、追沼 暉2、高橋 隆2,3、佐藤 宇史2,4、藤原 宏平1、塚﨑 敦1,4 (1.東北大金研、2.東北大理物、3.東北大AIMR、4.東北大CSRN)
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10:45 〜 11:00
〇重松 圭1、山本 一理1、清水 啓佑2、西久保 匠1、酒井 雄樹3、東 正樹1 (1.東工大フロンティア研、2.東工大科創研、3.神奈川県産総研)
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11:00 〜 11:15
〇矢嶋 赳彬1、西村 知紀1、鳥海 明1 (1.東大)
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11:15 〜 11:30
〇石上 亮介1、近松 彰1、片山 司1、北村 未歩2、堀場 弘司2、組頭 広志2,3、長谷川 哲也1 (1.東大院理、2.KEK、3.Tohoku Univ.)
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11:30 〜 11:45
〇(D)相馬 拓人1、吉松 公平1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)
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