一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[18a-224B-1~10] 17.3 層状物質

2018年9月18日(火) 09:00 〜 11:45 224B (224-2)

鈴木哲(兵庫県立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▲ [18a-224B-1] Growing single-orientation and wrinkle-free atomic thin layer by surface selective chemical vapor deposition

〇SHENGNAN WANG¹、Alice E. Dearle¹、Mina Maruyama²、Yui Ogawa¹、Susumu Okada²、Hiroki Hibino^1,3、Yoshitaka Taniyasu¹ (1.NTT Basic Research Labs.、2.Univ. of Tsukuba、3.Kwansei Gakuin Univ.)

09:15 〜 09:30

[18a-224B-2] Ti蒸着膜のセレン化熱処理による1T-TiSe₂結晶の形成

〇蜂屋廉¹、浦上法之^1,2、橋本佳男^1,2 (1.信州大工、2.信大カーボン研)

09:30 〜 09:45

[18a-224B-3] コールドウォール有機金属化学気相成長法によるTMD原子層の結晶成長

〇(M1)飯田智士¹、堀田貴都¹、篠原久典¹、北浦良¹ (1.名大理)

09:45 〜 10:00

[18a-224B-4] 保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS₂ 膜の結晶性改善

〇五十嵐智¹、松浦賢太朗¹、濱田昌也¹、谷川晴紀¹、坂本拓朗¹、宗田伊理也¹、角嶋邦之¹、筒井一生¹、若林整¹ (1.東工大)

10:00 〜 10:15

[18a-224B-5] スパッタMoS₂膜の HfO₂膜越し硫化における表面残留硫黄除去

〇谷川晴紀¹、松浦賢太朗¹、濱田昌也¹、坂本拓朗¹、宗田伊理也¹、星井拓也¹、角嶋邦之¹、筒井一生¹、若林整¹ (1.東工大)

10:30 〜 10:45

[18a-224B-6] 金属原料を用いた二流化ハフニウム薄膜の作製

〇小澤拓真¹、浦上法之^1,2、橋本佳男^1,2、Terrones Mauricio^3,2 (1.信州大工、2.信大カーボン研、3.ペンシルベニア州立大)

10:45 〜 11:00

△ [18a-224B-7] 原子層WS₂化学気相堆積成長のその場観測

〇(D)李超¹、金子俊郎¹、加藤俊顕^1,2 (1.東北大院工、2.JSTさきがけ)

11:00 〜 11:15

△ [18a-224B-8] 共スパッタ法と硫化によって作製したMoS_2(1-x)Te_2x膜の構造評価

〇日比野祐介^1,4、石原聖也^1,4、小柳有矢¹、澤本直美¹、松浦賢太郎²、町田英明³、石川真人³、須藤弘³、若林整²、小椋厚志¹ (1.明治大、2.東工大、3.気相成長(株)、4.学振特別研究員)

11:15 〜 11:30

△ [18a-224B-9] DCバイアススパッタ法を用いて作製したMoS₂膜のラマン分光評価

〇小柳有矢¹、石原聖也^1,3、日比野祐介^1,3、澤本直美¹、大橋匠²、松浦賢太郎²、若林整²、小椋厚志¹ (1.明治大学、2.東京工業大学、3.学振特別研究員)

11:30 〜 11:45

[18a-224B-10] 水素終端ゲルマニウムナノシートの液中剥離―ハンセン溶解度パラメータに基づく剥離・分散溶媒探索―

〇中村大輔¹、中野秀之¹ (1.豊田中研)

セッション情報

[18a-224B-1~10] 17.3 層状物質

▲ [18a-224B-1] Growing single-orientation and wrinkle-free atomic thin layer by surface selective chemical vapor deposition

[18a-224B-2] Ti蒸着膜のセレン化熱処理による1T-TiSe₂結晶の形成

[18a-224B-3] コールドウォール有機金属化学気相成長法によるTMD原子層の結晶成長

[18a-224B-4] 保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS₂ 膜の結晶性改善

[18a-224B-5] スパッタMoS₂膜の HfO₂膜越し硫化における表面残留硫黄除去

[18a-224B-6] 金属原料を用いた二流化ハフニウム薄膜の作製

△ [18a-224B-7] 原子層WS₂化学気相堆積成長のその場観測

△ [18a-224B-8] 共スパッタ法と硫化によって作製したMoS_2(1-x)Te_2x膜の構造評価

△ [18a-224B-9] DCバイアススパッタ法を用いて作製したMoS₂膜のラマン分光評価

[18a-224B-10] 水素終端ゲルマニウムナノシートの液中剥離―ハンセン溶解度パラメータに基づく剥離・分散溶媒探索―

認証

セッション情報

[18a-224B-1~10] 17.3 層状物質

▲ [18a-224B-1] Growing single-orientation and wrinkle-free atomic thin layer by surface selective chemical vapor deposition

[18a-224B-2] Ti蒸着膜のセレン化熱処理による1T-TiSe2結晶の形成

[18a-224B-3] コールドウォール有機金属化学気相成長法によるTMD原子層の結晶成長

[18a-224B-4] 保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS2 膜の結晶性改善

[18a-224B-5] スパッタMoS2膜の HfO2膜越し硫化における表面残留硫黄除去

[18a-224B-6] 金属原料を用いた二流化ハフニウム薄膜の作製

△ [18a-224B-7] 原子層WS2化学気相堆積成長のその場観測

△ [18a-224B-8] 共スパッタ法と硫化によって作製したMoS2(1-x)Te2x膜の構造評価

△ [18a-224B-9] DCバイアススパッタ法を用いて作製したMoS2膜のラマン分光評価

[18a-224B-10] 水素終端ゲルマニウムナノシートの液中剥離―ハンセン溶解度パラメータに基づく剥離・分散溶媒探索―

認証

[18a-224B-2] Ti蒸着膜のセレン化熱処理による1T-TiSe₂結晶の形成

[18a-224B-4] 保護膜を通したフォーミングガスアニールによるスパッタMoS₂ 膜の結晶性改善

[18a-224B-5] スパッタMoS₂膜の HfO₂膜越し硫化における表面残留硫黄除去

△ [18a-224B-7] 原子層WS₂化学気相堆積成長のその場観測

△ [18a-224B-8] 共スパッタ法と硫化によって作製したMoS_2(1-x)Te_2x膜の構造評価

△ [18a-224B-9] DCバイアススパッタ法を用いて作製したMoS₂膜のラマン分光評価