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[18p-234B-1~19] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2018年9月18日(火) 13:15 〜 18:30 234B (234-2)

影山健生(QDレーザ)、中尾亮(NTT)、神谷格(豊田工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[18p-234B-1] 超高速成長GaAsの低温フォトルミネセンス特性

〇生方映徳¹、相原健人²、ソダーバンルハサネット³、大島隆治²、菅谷武芳²、渡辺健太郎³、小関修一¹、矢野良樹¹、田渕俊也¹、松本功¹、中野義昭⁴、杉山正和³ (1.大陽日酸㈱、2.産業技術総合研究所、3.東大先端研、4.東大院工)

13:30 〜 13:45

△ [18p-234B-2] Si(001)基板上GaAs薄膜の結晶性に対するレーザーアニールの影響

〇金子翔一¹、前田幸治¹、碇哲雄¹、福山敦彦¹、鈴木秀俊¹ (1.宮崎大工)

13:45 〜 14:00

△ [18p-234B-3] GaPのMBE成長におけるGa吸着子の表面拡散長の定量化

〇塩田幸輝¹、山根啓輔¹、Jose Alberto Piedra-Lorenzana¹、関口寛人¹、岡田浩¹、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大工)

14:00 〜 14:15

[18p-234B-4] 二波長励起PL測定によるGaPN混晶のアップコンバージョン発光特性評価

〇高橋渉¹、高宮健吾¹、八木修平¹、狭間優治²、秋山英文²、矢口裕之¹、鎌田憲彦¹ (1.埼玉大院理工、2.東京大物性研)

14:15 〜 14:30

△ [18p-234B-5] 分子線エピタキシー法により成長したGe添加GaPN混晶の電気的特性

〇田中俊介¹、山根啓輔¹、関口寛人¹、岡田浩¹、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大)

14:30 〜 14:45

△ [18p-234B-6] 第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討

〇(M1)塚原悠太¹、八木修平¹、矢口裕之¹ (1.埼大院理工)

15:00 〜 15:15

[18p-234B-7] 窒素2%以上のGaNAsナノワイヤの成長

〇藤原亮¹、行宗詳規¹、Jansson Mattias²、Chen Weimin²、Buyanova Irina²、石川史太郎¹ (1.愛媛大工、2.Linköping Univ.)

15:15 〜 15:30

[18p-234B-8] GaAsキャップ温度による窒素ドープGaAs(001)面上InAs量子ドットの発光波長への影響

〇海津利行^1,2、上西奈緒人¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工、2.神戸大研究基盤セ)

15:30 〜 15:45

[18p-234B-9] 変調中間層による歪制御積層 InAs 量子ドット形状の変化

〇(M2)鈴木幹人¹、下村憲一¹、神谷格¹ (1.豊田工大)

15:45 〜 16:00

[18p-234B-10] サブモノレイヤーInAs 層を介した光アップコンバージョン

〇水野皓登¹、Zhang Yuwei¹、神谷格¹ (1.豊田工業大学)

16:00 〜 16:15

[18p-234B-11] 面内超高密度InAs量子ドット層のPLマッピング解析

〇立木象¹、杉山涼¹、山口浩一¹ (1.電通大基盤理工)

16:15 〜 16:30

[18p-234B-12] 分子線堆積法によるSiO_x/半導体上へのInAs量子ドットの自己形成(2)

〇馬飼野彰宜¹、坂本克好¹、曽我部東馬¹、山口浩一¹ (1.電通大　基盤理工)

16:45 〜 17:00

[18p-234B-13] Si(111)基板上に成長したInAs極薄膜のラマン分光法による歪み評価

〇神林郁哉¹、星井拓也¹、角嶋邦之¹、若林整¹、筒井一生¹ (1.東工大)

17:00 〜 17:15

[18p-234B-14] Sublattice Reversal in AlAs/Ge/AlAs Heterostructures Grown on (113)A GaAs Substrate

〇Xiangmeng Lu¹、Yasuo Minami¹、Takahiro Kitada¹ (1.Tokushima Univ.)

17:15 〜 17:30

[18p-234B-15] 2温度成長法でMBE成長した(001)GaAsBi/GaAs多重量子井戸の偏光依存PL

〇神原誉¹ (1.愛媛大院理工)

17:30 〜 17:45

[18p-234B-16] (411)A面 GaAs基板上のGaAs/GaAsBi量子井戸のPL偏光特性

〇山本巧¹、樋口憧生¹、塚本晟¹、田中佐武郎¹、神原誉¹、下村哲¹ (1.愛媛大院理工)

17:45 〜 18:00

[18p-234B-17] MOVPE法で作製したInAs /GaSb超格子の中赤外発光特性の層厚依存性

〇前田幸治¹、若城玲亮¹、山形勇也¹、荒井昌和¹ (1.宮大工)

18:00 〜 18:15

[18p-234B-18] GaAsSb/GaAs(001)の格子緩和異方性による歪み緩和への影響

〇(M2)結城正也¹、野川翔太¹、荒井昌和¹、大下祥雄²、佐々木拓生³、高橋正光³、鈴木秀俊¹ (1.宮崎大工、2.豊田工大、3.量研機構)

18:15 〜 18:30

[18p-234B-19] 表面再構成制御法を用いたSi(111)基板上へのIn_0.2Ga_0.8Sbエピタキシャル成長

〇五十嵐廉¹、森雅之¹、前澤宏一¹ (1.富大工)

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