[18a-146-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-146-1] Vector mapping of polarization of m-GaN by laser THz emission microscope

〇Yuji Sakai¹, Iwao Kawayama², Hao Jiang², Hidetoshi Nakanishi³, Hironaru Murakami², Akira Oiwa¹, Masayoshi Tonouchi² (1.ISIR, Osaka Univ., 2.ILE, Osaka Univ., 3.SCREEN)

Keywords:THz, GaN, Polarization

フェムト秒レーザーパルス照射により発生するテラヘルツ(THz)波により，キャリアの発生効率，寿命，内部電場の分布などを評価することが可能である．今回，ベクトルマッピングの手法を用いてm面GaNにおいて面内に存在する自発分極をベクトルとして視覚化しGaNを含む半導体の表面検査の可能性を検証した．