[18a-146-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-146-1] レーザーTHz放射顕微鏡によるm面GaN表面分極のベクトルマッピング

〇酒井 裕司¹、川山 巌²、姜 昊²、中西 英俊³、村上 博成²、大岩 顕¹、斗内 政吉² (1.阪大産研、2.阪大レーザー研、3.SCREEN)

キーワード：テラヘルツ、GaN、分極

フェムト秒レーザーパルス照射により発生するテラヘルツ(THz)波により，キャリアの発生効率，寿命，内部電場の分布などを評価することが可能である．今回，ベクトルマッピングの手法を用いてm面GaNにおいて面内に存在する自発分極をベクトルとして視覚化しGaNを含む半導体の表面検査の可能性を検証した．