[18a-146-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-146-12] グラフェンを犠牲層とした剥離可能GaNのホモエピタキシャル成長

〇大江 佑京¹、毛利 真一郎¹、名西 憓之¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工)

キーワード：GaN、MBE、グラフェン

本研究では、グラフェンを犠牲層とするホモエピタキシーにより、基板の結晶性を引き継いだ剥離・転写可能な窒化物半導体結晶のMBE成長を目指している。現状では、グラフェン表面へのプラズマダメージに起因して、ランダムな配向を持つGaN微結晶が成長することが確認できた。講演では、プラズマダメージ低減手法を検討し、グラフェンを犠牲層とするホモエピタキシーが可能かどうか議論する。