The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[18a-146-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

Tue. Sep 18, 2018 9:00 AM - 12:30 PM 146 (Reception Hall)

Ryuji Katayama(Osaka Univ.), Hiroto Sekiguchi(Toyohashi University of Technology)

9:30 AM - 9:45 AM

[18a-146-3] Numerical data extraction of 3D configuration of dislocations in GaN crystals from multiphoton-excitation photoluminescence images

Kentaro Kutsukake1, Tomoyuki Tanikawa2, Takashi Matsuoka2, Kenichi Inoue1 (1.Nagoya Univ., 2.Tohoku Univ.)

Keywords:Data driven, Multiphoton-excitation photoluminescence, dislocations

我々は、ビックデータに基づく(すなわちデータ駆動型の)結晶欠陥評価を目指している。本研究では、GaN基板の多光子励起フォトルミネッセンス(MPPL)の測定画像データから転位の複雑な3次元配置を数値情報として自動抽出するアルゴリズムを開発したので報告する。