[18a-146-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-146-9] パルススパッタ堆積法による高電子移動度n型GaN薄膜の成長と評価

〇上野 耕平¹、柴原 啓太¹、小林 篤¹、藤岡 洋^1,2 (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：GaN、スパッタリング