[18a-224B-1~10] 17.3 Layered materials

[18a-224B-2] Formation of TiSe₂ crystal via selenization of deposited Ti film

〇Ren Hachiya¹, Noriyuki Urakami^1,2, Yoshio Hashimoto^1,2 (1.Shinshu Univ. Faculty of Eng., 2.Shinshu Univ. Inst. of Carbon Sci and Tech.)

Keywords:titanium diselenide, Transition metal dichalcogenides

構成元素により様々な電子状態を実現する遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDCs)は新原理素子材料として期待されている。二セレン化チタン(TiSe₂)は金属-絶縁体転移などの強相関的な物理性質に注目が集まっているが、電子素子応用としての検討例は少ない。そこで本研究では素子応用を目指し、TMDCsの形成に有効な手段である蒸着金属膜のカルコゲン雰囲気での熱処理によりTiSe₂をc面サファイア基板上に直接エピタキシャル成長することを目的とした。