2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[18a-224B-1~10] 17.3 層状物質

2018年9月18日(火) 09:00 〜 11:45 224B (224-2)

鈴木 哲(兵庫県立大)

09:15 〜 09:30

[18a-224B-2] Ti蒸着膜のセレン化熱処理による1T-TiSe2結晶の形成

蜂屋 廉1、浦上 法之1,2、橋本 佳男1,2 (1.信州大工、2.信大カーボン研)

キーワード:二セレン化チタン、遷移金属ダイカルコゲナイド

構成元素により様々な電子状態を実現する遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDCs)は新原理素子材料として期待されている。二セレン化チタン(TiSe2)は金属-絶縁体転移などの強相関的な物理性質に注目が集まっているが、電子素子応用としての検討例は少ない。そこで本研究では素子応用を目指し、TMDCsの形成に有効な手段である蒸着金属膜のカルコゲン雰囲気での熱処理によりTiSe2をc面サファイア基板上に直接エピタキシャル成長することを目的とした。