[18a-224B-1~10] 17.3 層状物質

[18a-224B-5] スパッタMoS₂膜の HfO₂膜越し硫化における表面残留硫黄除去

〇谷川 晴紀¹、松浦 賢太朗¹、濱田 昌也¹、坂本 拓朗¹、宗田 伊理也¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東工大)

キーワード：MoS2、硫黄除去

スパッタMoS₂膜のMISFET応用に向けて、スパッタMoS₂膜をHfO₂絶縁膜越しに硫化し、表面に残留堆積した硫黄をラジカル酸化により除去した。