[18a-224B-1~10] 17.3 層状物質

△ [18a-224B-8] 共スパッタ法と硫化によって作製したMoS_2(1-x)Te_2x膜の構造評価

〇日比野 祐介^1,4、石原 聖也^1,4、小柳 有矢¹、澤本 直美¹、松浦 賢太郎²、町田 英明³、石川 真人³、須藤 弘³、若林 整²、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.東工大、3.気相成長(株)、4.学振特別研究員)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、混晶

近年注目を集める層状材料、特に遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)だが、特にその物性のチューニング特性が研究を進める大きなモチベーションの一つとなっている。これまで我々はTMDの混晶作製によるバンドギャップチューニングに関して報告をしてきた。本発表においては以前報告した共スパッタとS化によって作製したMoS_2(1-x)Te_2xの構造評価について報告する。