The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

3 Optics and Photonics » 3.13 Semiconductor optical devices

[18a-232-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

Tue. Sep 18, 2018 9:00 AM - 12:00 PM 232 (232)

Masakazu Arai(Univ. of Miyazaki)

9:00 AM - 9:15 AM

[18a-232-1] Effect of Duty Ratio in Ridge LDs with Transversal Gratings

〇(M2)Hikaru Ishikawa1, Takahiro Numai1 (1.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:semiconductor laser, ridge waveguide

長距離大容量光ファイバー通信システムにおけるエルビウムドープ光ファイバー増幅器の励起用光源に,発振波長が980 nmのリッジ型半導体レーザーが用いられている.単一横モードを維持することを目的として,メサ両脇に横方向回折格子を設けた構造を提案し,研究を行ってきた.本研究では,横方向回折格子のデューティー比とレーザー特性との関係について調べた.