2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18a-232-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2018年9月18日(火) 09:00 〜 12:00 232 (232)

荒井 昌和(宮崎大)

09:00 〜 09:15

[18a-232-1] 横方向回折格子を設けたリッジ型半導体レーザーにおける
回折格子のデューティー比の効果

〇(M2)石川 輝1、沼居 貴陽1 (1.立命館大理工)

キーワード:半導体レーザー、リッジ型導波路

長距離大容量光ファイバー通信システムにおけるエルビウムドープ光ファイバー増幅器の励起用光源に,発振波長が980 nmのリッジ型半導体レーザーが用いられている.単一横モードを維持することを目的として,メサ両脇に横方向回折格子を設けた構造を提案し,研究を行ってきた.本研究では,横方向回折格子のデューティー比とレーザー特性との関係について調べた.