2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18a-232-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2018年9月18日(火) 09:00 〜 12:00 232 (232)

荒井 昌和(宮崎大)

10:45 〜 11:00

[18a-232-7] GaInAsP/InPリッジ導波路型半導体薄膜DRレーザの高速動作下におけるエネルギーコスト

中村 なぎさ1、吉田 崇将1、方 偉成1、高橋 直樹1、雨宮 智宏1,2、西山 伸彦1,2、荒井 滋久1,2 (1.東工大工、2.東工大未来研)

キーワード:薄膜

大規模集積回路上オンチップ光配線用光源として、我々は半導体薄膜DRレーザを提案・実現してきた。現在、低しきい値電流・高効率動作化を実現しているが大規模集積回路への集積にはさらなる低消費電力化が必要である。前回さらなる低消費電力化を可能とするリッジ導波路型薄膜DRレーザを提案し、今回高速動作に対する消費電力・エネルギーコストの理論検討を行ったので、ご報告する。