[18a-233-1~10] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[18a-233-2] SiC膜表面の脱イオン水洗浄による球状粒子形成に対する表面状態の影響

〇田原 絵梨¹、藤田 徹¹、井上 健剛¹、田中 正勝¹、保木 力也¹、井谷 直毅¹、森 年史¹ (1.三重富士通セミコンダクター)

キーワード：半導体