[18a-431B-1~8] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[18a-431B-3] Cross-sectional analysis of silicon protrusions formed by surface liquid phase epitaxy
under locally applied tensile stress

〇Takashi Nishimura¹, Masahiko Tomitori² (1.Suzuka College, 2.Jaist)

Keywords:liquid phase epitaxy, electromigration, tensile stress

レーザー照射や電子ビーム照射で材料を局所的に加熱した際に発生する対流と膨張を巧く利用すれば、多様な形状を持つ微小結晶を形成できることが知られている。これまでに我々は、局所応力を印加したシリコン（Si）ウェハーの通電加熱による表面の局所溶融を利用して、表面Si融液の対流と膨張を促しながらの液相エピタキシャル（エピ）成長で表面にSi突起を形成できること、および、突起成長に対する微量金属添加の効果を報告し、その形成機構を検討してきた。今回、局所表面液相Siエピ成長でSi(111)と(100)面上にSi突起を形成し、基板面方位が突起構造へ与える効果を調べた。局所表面液相Siエピ成長による表面構造の形成法の可能性を展望する。