[18a-431B-1~8] 6.5 表面物理・真空

[18a-431B-7] S 処理されたGaAs(111)B 表面の構造安定性

〇後藤 俊治¹、大竹 晃浩²、中村 淳¹ (1.電通大院情報理工、2.物材機構)

キーワード：表面再構成、III-V族化合物半導体、第一原理計算

最近、Se処理されたGaAs(111)B 表面の新たな構造(As/Se 終端)モデルが提案され、その安定性が示された。一方，エレクトロンカウンティング則を満たさないSeによる完全終端表面も安定構造として存在し得ることがわかった。本研究では、これらの安定性がSe特有のものであるかを調べるため、S終端モデルの安定性について、第一原理計算を用いて議論する。その結果、Sの場合も同様の安定化機構が働くことがわかった。