[18p-136-1~15] 3.7 レーザープロセシング

△ [18p-136-5] 超短パルスレーザーによるAlN結晶内部の光加工

〇(M1)松井 克生¹、清水 雅弘¹、下間 靖彦¹、三浦 清貴¹ (1.京都大学大学院工学研究科材料化学専攻)

キーワード：窒化アルミ二ウム、フェムト秒レーザー

窒化アルミニウム（AlN）結晶は深紫外発光素子の実現に有望なワイドギャップ半導体材料の一つである。我々はこれまでに難加工材料であるSiC結晶基板を対象としてフェムト秒レーザーパルスを光源とした光加工について検討し加工痕のレーザー伝搬方向への伸びが抑制されることを明らかにした。本研究では、フェムト秒レーザーによるAlN結晶の光加工を目的として、不純物濃度が異なるAlN結晶内部における光誘起構造を評価した。