[18p-143-1~15] 6.6 プローブ顕微鏡

△ [18p-143-9] 走査型非線形誘電率顕微鏡による半導体キャリア分布観察のための絶縁膜付きカンチレバーの開発

〇高野 幸喜¹、山末 耕平¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：走査型非線形誘電率顕微鏡、半導体、キャリア分布

走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)による半導体材料・デバイスにおけるキャリア分布観察では導電性探針,試料表面の酸化膜および半導体で局所的なMIS構造が形成されることがこれまで前提とされてきた.しかしながら,自然酸化膜を形成しない試料では必ずしもMIS構造が形成されない.そこで,本研究では,導電性探針に絶縁膜を成膜し,自然酸化膜を形成しない試料でもMIS構造を形成できる探針の開発を行った.