[18p-146-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～窒化物プロセス技術の新展開～

[18p-146-3] AlGaN系窒化物スパッタエピプロセスの開発

〇藤岡 洋^1,2、櫻井 悠也¹、上野 耕平¹、小林 篤¹ (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：窒化物半導体、結晶欠陥

本講演では紫外線発光材料として注目を集めるAlGaN系結晶のスパッタリングを用いた低温非平衡下での合成とその成長中の特異構造導入について議論する。特異構造の最も単純な例として、ドナーやアクセプターのドーピングを取り上げ、低圧プラズマ中における高エネルギー粒子照射下での欠陥擬フェルミレベルコントロールによる補償準位導入の抑制の可能性についても議論する。