[18p-146-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～窒化物プロセス技術の新展開～

[18p-146-5] AlGaN系ステップバンチング特異構造からの高効率発光現象

〇川上 養一¹、早川 峰洋¹、船戸 充¹ (1.京大院工)

キーワード：AlGaN系半導体、ステップバンチング、特異構造

極性面から微傾斜した基板上にAlNを成長すると多数の分子ステップが集まったマクロステップが形成される．その上にAlGaN量子井戸層を作製したところ，Gaリッチの細線状のAlGaN発光局在中心が形成され、室温での発光再結合寿命が長寿命化することを見出した．このことから、作製された構造では、非輻射再結合が抑制されており、高発光効率化に向けて有望なAlGaN系特異構造が自己形成したものと考えらえる．