[18p-212B-1~11] 【CS.8】 Code-sharing Session of 7.4 & 9.5

[18p-212B-2] Study of lattice distortion by using X-ray indirect reflection

〇Rio Ochi¹, Miho Kumoi¹, Haruka Miyashita¹, Koichi Akimoto¹ (1.Japan Women's Univ.)

Keywords:X-ray, semiconductor, strain

半導体結晶をデバイスに応用するためにはその特性を知る必要がある。また、結晶のひずみは電気特性など結晶の特性に影響を与えると考えられている。特性を調べるために結晶評価を行う必要があり、本研究はひずみの測定に遠回り反射を用いることを試みた。
実験室系のX線管(30kV, 20mA)を使用し、を試料として用いた。面内回転角を0.5°ずつ回転し、禁制反射である200反射の強度測定を行った。先行研究で示されたシミュレーション結果を用いて、本研究で得られた実験結果に指数付けを行った。これにより、Siの結晶格子のさまざまなひずみの情報が得られる可能性がある。