[18p-225A-1~12] 1.1 応用物理一般・学際領域

[18p-225A-3] 微細半導体プロセスにおける宇宙空間シングルイベント耐性強化技術の検討（２）

〇(D)丸 明史^1,2、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東京工業大学、2.宇宙航空研究開発機構)

キーワード：半導体、放射線

近年の最先端微細デバイスでは微細プロセス特有の放射線影響である「チャージシェアリング」の影響が益々顕著に現れる。本研究では上記チャージシェアリング影響範囲の見積もりを正確に行うため、デバイスシミュレータを用いた見積もり手法を提案する。また、前回報告結果を発展させ、今回は実デバイスの実験結果と本研究におけるシミュレーションモデルを用いたシミュレーション結果の比較を行い、モデルの妥当性について検証した。また、放射線の入射角度のチャージシェアリングへの影響についても検討した。