[18p-231B-1~17] 2.3 Application, radiation generators, new technology

[18p-231B-11] Development of Multi-MGy Radiation Tolerant CMOS Active Pixel Image Sensor

〇Yoshizumi Haraguchi¹, Hirokazu Ikeda², Seisuke Fukuda² (1.Mach Corp., 2.ISAS/JAXA)

Keywords:CMOS APS, Radiation Tolerant, Dark Current

高耐放射線CMOS APSを実現する為、画素暗電流対策としてSTI上にポリシリコン電極を配置したチップを試作、Co-60照射試験と撮像評価を実施した。その結果、累積線量130kGyで顕著な画質劣化、330kGyでホワイトアウトとなる。しかしポリシリコン電極に負電位印加で暗電流が大幅に低減、画像も視認できる状態に回復した。その後の試験で約2.5MGyまで視認可能なサンプルも確認された。