[18p-231B-1~17] 2.3 放射線応用・発生装置・新技術

[18p-231B-11] MGyオーダーの耐放射線埋込みフォトダイオードCMOSイメージセンサーの開発

〇原口 能純¹、池田 博一²、福田 盛介² (1.ﾏｯﾊｺｰﾎﾟﾚｰｼｮﾝ、2.JAXA宇宙研)

キーワード：CMOSイメージセンサー、耐放射線、暗電流

高耐放射線CMOS APSを実現する為、画素暗電流対策としてSTI上にポリシリコン電極を配置したチップを試作、Co-60照射試験と撮像評価を実施した。その結果、累積線量130kGyで顕著な画質劣化、330kGyでホワイトアウトとなる。しかしポリシリコン電極に負電位印加で暗電流が大幅に低減、画像も視認できる状態に回復した。その後の試験で約2.5MGyまで視認可能なサンプルも確認された。