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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[18p-232-1~17] 3.13 半導体光デバイス

2018年9月18日(火) 13:15 〜 18:00 232 (232)

沼居貴陽(立命館大)、内田史朗(千葉工大)

15:30 〜 15:45

[18p-232-9] Talbot効果を用いた位相同期2D-VCSELアレイのレート方程式に基づく同期特性解析

〇(M2)七條太一¹、宮本智之¹ (1.東工大未来研)

キーワード：VCSEL、Talbot効果、注入同期