[18p-235-1~14] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [18p-235-12] Strain Evaluation of C or Ge implanted and Laser-annealed SiGe Thin Layers

〇Shota Komago¹, Tatsumi Murakami¹, Kazutoshi Yoshioka¹, Ryo Yokogawa^1,2, Naomi Sawamoto¹, John Borland³, Takashi Kuroi⁴, Toshiyuki Tabata⁵, Karim Huet⁵, Naoto Horiguchi⁶, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.J.O.B. Technologies, 4.Nissin Ion Equipment, 5.LASSE/Screen, 6.IMEC)

Keywords:SiGe, Laser Annealing, Strain

SiGeはSiに比べて高いキャリア移動度を有しているため、チャネル材料として用いられている。Si上にエピタキシャル成長したSiGe薄膜に、歪制御を目的にCおよびGeをイオン注入し、レーザアニール（LA）によるダメージ回復処理を施した。Cを導入した試料は、C濃度増加による高波数側へのシフトの影響よりも低波数側へのシフトの影響が大きいことから、引っ張り歪が印加されたと考えられる。