[18p-235-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [18p-235-12] C及びGeイオン注入後にレーザーアニールを施したSiGe薄膜の歪評価

〇小孫 翔大¹、村上 達海¹、吉岡 和俊¹、横川 凌^1,2、澤本 直美¹、Borland John³、黒井 隆⁴、田畑 俊行⁵、Huet Karim⁵、堀口 直人⁶、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員 DC、3.J.O.B. Technologies、4.日新イオン機器、5.LASSE/Screen、6.IMEC)

キーワード：SiGe、レーザーアニール、歪

SiGeはSiに比べて高いキャリア移動度を有しているため、チャネル材料として用いられている。Si上にエピタキシャル成長したSiGe薄膜に、歪制御を目的にCおよびGeをイオン注入し、レーザアニール（LA）によるダメージ回復処理を施した。Cを導入した試料は、C濃度増加による高波数側へのシフトの影響よりも低波数側へのシフトの影響が大きいことから、引っ張り歪が印加されたと考えられる。