[18p-235-1~14] 15.5 Group IV crystals and alloys

[18p-235-13] Determination of Ge Fraction using Broad Peaks in Raman spectra of SiGe with High Fraction using Oil-Immersion Raman Spectroscopy

〇Ryo Yokogawa^1,2, Masato Koharada¹, Kazutoshi Yoshioka¹, Seiya Ishihara^1,2, Koji Usuda³, Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.JSPS Research Fellow DC, 3.Toshiba Memory Corp.)

Keywords:Raman spectroscopy, SiGe

SiGeは次世代デバイスへの応用が期待され、中でもGe濃度は格子定数等に直接影響するため高精度な評価が求められる。デバイス微小領域のGe濃度評価手法の一つとしてラマン分光が挙げられるが従来の手法では等方性二軸歪仮定のみでしか適用できずGe濃度の定量が困難であった。そこで本研究では液浸ラマン分光法で観測される高濃度SiGe試料のブロードピークに着目し新たなGe濃度評価について検討した。