[18p-235-1~14] 15.5 Group IV crystals and alloys

[18p-235-14] Effect of cooling rate and annealing temperature on epitaxial growth of SiGe on Si substrate by printing and firing

〇Shogo Fukami¹, Yoshihiko Nakagawa¹, Kazuhiro Gotoh¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Masahiro Nakahara², Marwan Dhamrin², Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ., 2.Toyo Aluminium)

Keywords:SiGe, Liquid phase epitaxy growth

全率固溶体であるSiGeは格子定数とバンドギャップを自在に調整することができ、優れた物性の発現が期待される。低コストかつ単純な高速プロセスとしてAlによるGe 及びSiの融点降下現象を利用した液相エピタキシャル成長に注目している。本手法では熱処理条件がSiGeの結晶成長を支配する重要な因子であると考えられる。そこで本研究では熱処理段階の冷却速度や温度の違いがSiGeのエピタキシャル成長の結晶性に与える影響について調査した。