[18p-235-1~14] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[18p-235-14] 印刷と焼成による Si 基板上への SiGe 層のエピタキシャル成長における熱処理条件の効果

〇深見 昌吾¹、中川 慶彦¹、後藤 和泰¹、黒川 康良¹、中原 正博²、ダムリン マルワン²、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工、2.東洋アルミ)

キーワード：SiGe、液相エピタキシャル成長

全率固溶体であるSiGeは格子定数とバンドギャップを自在に調整することができ、優れた物性の発現が期待される。低コストかつ単純な高速プロセスとしてAlによるGe 及びSiの融点降下現象を利用した液相エピタキシャル成長に注目している。本手法では熱処理条件がSiGeの結晶成長を支配する重要な因子であると考えられる。そこで本研究では熱処理段階の冷却速度や温度の違いがSiGeのエピタキシャル成長の結晶性に与える影響について調査した。